Так буде, якщо Мінстратегпром таки доведе до помітного результату нову і навіть несподівану для поточної української реальності ініціативу.
До Мінстратегпрому звернулись українські підприємства та науково-дослідні установи з пропозицією щодо виробництва в Україні радіелектронної продукції 5 покоління на основі GaAs/GaN за умови державної підтримки.
Читайте також: "Радіонікс" запатентував радіолокаційну головку самонаведення для ракети Р-360 "Нептун"
Несподіваність полягає у готовності Мінстратегпрому взятись за системне вирішення цієї проблеми, від якої вже давно потерпає вічизняна цивільна та "оборонна" промисловість.
Йдеться про обмеження доступу України до сучасної закордонної елементної бази, яка потрібна для створення конкурентних зразків цивільної та військової продукції.
Створити власний базис для розвитку має програма під назвою "Інноваційні технології промислового виробництва елементної бази електроніки п’ятого покоління на основі напівпровідників".
Нині угоджується перелік напівпровідникових пристроїв, що плануються до серійного виробництва та розробки згідно з проєктом програми "Інноваційні технології промислового виробництва елементної бази електроніки п’ятого покоління на основі напівпровідників".
Йдеться про діоди, транзистори, високочутливі фотодіоди та інфрачервоні світлодіоди, фотоприймачі, спеціальні потужні інфрачервоні випромінювачі, широкозонні чіпи тощо.
Створення вітчизняної єлементної бази - крок важливий і водночас ризикований. Адже фактично йдеться про відновлення або створення цілого пласту необхідних технологій та компетенцій. Це потребуватиме значних і системних зусиль.
Разом з тим, без цього буде посилюватись відставання України у реалізації окремих проривних цивільних, а також військових проєктів - зокрема, у галузі радіоелектроніки, розробці засобів зв'язку, передачі данних, виявленння та цілевказування різних типів тощо.
Як показує практика останніх років, українські конструктори та інженери можуть запропонувати гарні схемотехнічні рішення, проте складнощі з отриманням відповідної елементної бази закордонного виробництва під ці проєкти суттєво зменшують конкурентність вітчизняних проєктів у порівнянні з іноземними аналогами.
Українські компанії, що виробляють нові чи модернізються існуючі зразки озброєнь та техніки з використанням закордонної елементної бази, постійно стикаються з відмовами у доступі до певних категорій продукції, в тому числі і в сегменті закупівлі тих же напівпровідників з відповідними вимогами до їхньої надійності.
Фактично це є підтвердженням того, що діє негласне правило на обмеження постачання певних компонентів та елементної бази до України - з огляду на національні вимоги систем експортного контролю провідних країн Европи та США. Що цілком логічно з огляду на стратегію технологічного стримування.
Відомо, що, наприклад, перехід з кремнію на напівпровідники на основі нових сполук на основі того ж нітриду галію дозволяє перевершувати існуючі стандарти, підштовхує до створення нових методів розробки і виробництва, підвищує ефективність рішень.
Електроніка на GaN-рішеннях "на рівному місці" дає приріст потужності і розширення дальності радарів. Використання GaN може у півтора рази збільшити радіус дії РЛС, підвищити точність розпізнавання цілі, збільшити у п'ять разів зону пошуку, зменшити розмір полотна та енергоспоживання РЛС.
Що, до речі, наочно показала американська промисловість.
Так, минулого року компанія Lockheed Martin поставила армії США перші мобільні радіолокаційні установки (РЛС) на основі електроніки з елементами з нітриду галію.
Нічого нового в компанії придумувати не стали. На елементну базу GaN були переведені прийняті з 2010 року на озброєння контрбатарейна РЛС AN/TPQ-53, який став першим у світі радаром на широкозонних напівпровідниках.
Використання GaN може у півтора рази збільшити радіус дії РЛС, підвищити точність розпізнавання цілі, збільшити у п'ять разів зону пошуку, зменшити розмір полотна та енергоспоживання РЛС
За рахунок переходу на активні GaN-компоненти РЛС AN/TPQ-53 суттєво підвищила дальність виявлення закритих артилерійських позицій і отримала можливість одночасного спостереження за повітряними цілями. Зокрема, РЛС AN/TPQ-53 почала застосовуватися і проти безпілотників, включаючи малі апарати.
Після чого Компанія Lockheed Martin заявила, що перехід на GaN елементну базу дозволяє їй розраховувати на подальше багаторічне лідерство у галузі вдосконалення і виробництва радарних установок.
Здається, цей приклад треба спробувати наслідувати і Україні. А якщо все буде дуже дорого - то слід шукати партнерів для того, аби пройти цей шлях швидше.
Читайте також: У ЗСУ освоюють сучасний РЛК 1Л220УК "Зоопарк-3" від НВК "Іскра": військові позитивно оцінюють розробку
